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中国科学院半导体研究所

1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。
      半个多世纪以来,半导体研究所在半导体科学的基础研究和高新技术研究与产业化方面,取得了大量的重要成果,培养了一批又一批优秀科技人才,为我国科技事业发展、国民经济建设做出了重要贡献。研制出中国第一只锗晶体管、硅平面晶体管、半导体固体组件;研发出第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶;制造出第一台硅单晶炉、区熔炉;……取得了一系列重大原创性成果。曾先后获得国家自然科学奖二等奖、国家科技进步奖一等奖等重大奖励,黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。
      改革开放后尤其是中国科学院实施知识创新工程以来,半导体所进入了快速发展时期,在提升半导体科学技术水平、促进国家经济、社会发展等方面作出了重要贡献,逐步发展成为集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。
 
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